2024-03-31
研究人员实现了高温下30-40 keV范围内的N2+离子注入。此外,还发现与室温注入相比,可以使用高于2×1014离子/cm2的离子注量而无需金刚石膜石墨化。这项研究为优化带有可集成到量子传感设备中的植入NV整体的金刚石薄膜开辟了有前景的前景。
3月27日,研究成果发表在《Applied Physics Letters》上。
来源:
https://pubs.aip.org/aip/apl/article/124/13/134002/3279666/Hot-ion-implantation-to-create-dense-NV-center?searchresult=1
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