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具有光子捕获结构的薄硅光电探测器中增强光吸收

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发布时间：2023-08-01

光子系统在许多新兴应用中迅速获得关注，包括光通信、激光雷达传感和医学成像。然而，光子学在未来工程解决方案中的广泛采用取决于光电探测器的制造成本，而光电探测器的成本又很大程度上取决于用于该目的的半导体类型。
 
加州大学戴维斯分校的一个研究小组正在开创一种新策略，以大大提高硅薄膜的光吸收率。7月24日，在《Advanced Photonics Nexus》上发表的最新论文中，他们首次展示了具有光捕获微米和纳米表面结构的硅基光电探测器，实现了前所未有的性能提升，可与 GaAs 和其他 III-V 族半导体相媲美。
 
来源：
https://www.spiedigitallibrary.org/journals/advanced-photonics-nexus/volume-2/issue-05/056001/Achieving-higher-photoabsorption-than-group-III-V-semiconductors-in-ultrafast/10.1117/1.APN.2.5.056001.full?SSO=1

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